William Bradford Shockley
| William Bradford Shockley | |
| Datoteka:William Shockley, Stanford University.jpg | |
| Rođenje | 13. veljače 1910. London, Ujedinjeno Kraljevstvo |
|---|---|
| Smrt | 12. kolovoza 1989. Stanford, Kalifornija, SAD |
| Državljanstvo | SAD |
| Polje | fizika |
| Institucija | Bell Labs Shockley Semiconductor Stanford |
| Alma mater | Caltech MIT |
| Akademski mentor | John C. Slater |
| Poznat po | suizumitelj tranzistora |
| Istaknute nagrade | Nobelova nagrada za fiziku (1956.) |
William Bradford Shockley (London, 13. veljače 1910. - Stanford, 12. kolovoza 1989.), američki fizičar i izumitelj. U suradnji s Johnom Bardeenom i Walterom Houserom Brattainom, Shockley je izumio tranzistor, za kojeg su sva trojica nagrađena Nobelovom nagradom za fiziku 1956.
Shockleyjevi pokušaji komercijalizacije novog dizajna tranzistora 1950-ih i 1960-ih dovela su do postanka Silicijske doline u kolijevku elektroničkih inovacija. U kasnijem razdoblju života, Shockley je predavao kao profesor na Stanford Universityju i postao snažan zagovaratelj eugenike.[1]
Patenti
Shockleyju je odobreno preko devedeset patenata u SAD-u. Neki značajniji su:
- US patent 2502488 "Semiconductor Amplifier". Zahtjev podnesen 24. rujna 1948.; njegov prvi odobreni patent koji je uključivao tranzistore.
- US patent 2569347 "Circuit element utilizing semiconductive material". Njegov najraniji podneseni zahtjev za patentom (26. lipnja 1948.) koji je uključivao tranzistore.
- US patent 2655609 "Bistable Circuits". Zahtjev podnesen 22. srpnja 1952.; Korišten u računalima.
- US patent 2787564 "Forming Semiconductive Devices by Ionic Bombardment". Zahtjev podnesen 28. listopada 1954.; Difuzivni proces za implantaciju nečistoća.
- US patent 3031275 "Process for Growing Single Crystals". Zahtjev podnesen 20. veljače 1959.; Poboljšanja procesa za dobivanje osnovnih materijala.
- US patent 3053635 "Method of Growing Silicon Carbide Crystals". Zahtjev podnesen 26. rujna 1960.; Istražuje ostale semikonduktore.
Bibliografija
Shockleyevi predratni znanstveni članci
- An Electron Microscope for Filaments: Emission and Adsorption by Tungsten Single Crystals, R. P. Johnson and W. Shockley, Phys. Rev. 49, 436 - 440 (1936).
- Optical Absorption by the Alkali Halides, J. C. Slater and W. Shockley, Phys. Rev. 50, 705 - 719 (1936).
- Electronic Energy Bands in Sodium Chloride, William Shockley, Phys. Rev. 50, 754 - 759 (1936).
- The Empty Lattice Test of the Cellular Method in Solids, W. Shockley, Phys. Rev. 52, 866 - 872 (1937).
- On the Surface States Associated with a Periodic Potential, William Shockley, Phys. Rev. 56, 317 - 323 (1939).
- The Self-Diffusion of Copper, J. Steigman, W. Shockley and F. C. Nix, Phys. Rev. 56, 13 - 21 (1939).
Shockleyeve knjige
- Shockley, William – Electrons and holes in semiconductors, with applications to transistor electronics, Krieger (1956) ISBN 0-88275-382-7.
- Shockley, William – Mechanics Merrill (1966).
- Shockley, William and Pearson, Roger – Shockley on Eugenics and Race: The Application of Science to the Solution of Human Problems Scott-Townsend (1992) ISBN 1-878465-03-1.
Knjige o Shockleyu
- Joel N. Shurkin; Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. New York: Palgrave Macmillan (2006) ISBN 1-4039-8815-3
- Michael Riordan and Lillian Hoddeson; Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton (1997) ISBN 0-393-31851-6 pbk.
Izvori
- ↑ (eng.) (14 August 1989). William B. Shockley, 79, Creator of Transistor and Theory on Race ID: william_b_shockley_79_creator_of_transistor_and_theory_on_race.
Datoteka:Nobel prize medal.svg
Nedovršeni članak William Bradford Shockley koji govori o dobitniku Nobelove nagrade za fiziku treba dopuniti. Dopunite ga prema pravilima uređivanja Hrvatske internetske enciklopedije.
